سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

داود شکاری بیرق – اصفهان، دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده برق و کامپیوتر
حسین فرزانه فرد –

چکیده:

در این مقاله، مدار جدیدی برای درایو گیت ترانزیستورهای قدرت (MOSFET/IGBT) ارائه گردیده است. در این مدار برای ایاد ابزولاسیون بین ترانزیستور قدرت و بخش کنترل کننده، از یک ترانسفورمر مغناطیسی بسیار کوچک استفاده کردیده که ضمن کاستن از فضای مورد نیاز برای پیاده سازی مدار درایو، سبب دستیابی به سطح پالس مثبت و منفی قرینه و مستقل از ضریب وظیفه سیگنالی کنترلی می گردد. نتایج حاصل از شبیه سازی به همراه نتایج عملی یک نمونه طراحی شده ارائه گردیده که مبین عملکرد رضایت بخش مدار درایو پیشنهادی می باشد.