سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

سید ادیب ابریشم یفر – دانشگاه علم و صنعت ایران
سعیده حمید یفر –

چکیده:

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک مدار هدایت انتقالی با ولتاژ تغذی ه بسیار کم که در ساختار آن از ترانزیستور با گیت شناور استفاده شده، ارائه شده است. نتایج شبیه سازی ها با نرم افزار Hspice تحت تکنولوژی ۰/۳۵μm CMOS 0/ و ولتاژ تغذی ه ۵ ولت نشان دهنده مناسب بودن آن در کاربر دهای ولتاژ پایین برای کم کردن مصرف توان تراشه و افزایش طول عمر باتری می باشد. لازم به ذکر است که میزان هدایت انتقالی ۱۴۰μ A/V با پهنای باند ۱۰۰MHzبوده و در فرکانس THD=0.7% ،۱۰/۷ MHz و مصرف توان ۱۳μW اندازه گیری شده است.