مقاله بررسي اثرات دمايي ترانزيستور ۴۵mn سيليکون روي الماس که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در زمستان ۱۳۸۸ در مهندسي برق مجلسي از صفحه ۶۳ تا ۶۸ منتشر شده است.
نام: بررسي اثرات دمايي ترانزيستور ۴۵mn سيليکون روي الماس
این مقاله دارای ۶ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله ماسفت
مقاله سيليکون روي عايق
مقاله سيليکون روي الماس
مقاله شبيه سازي هيدروديناميک
مقاله اثر خودگرمايي

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: دقيقي آرش
جناب آقای / سرکار خانم: زماني شهين

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
در اين مقاله مشخصه هاي دمايي زيرپايه هاي سيليکون روي عايق (SOI) و سيليکون روي الماس (SOD) با طول کانال ۴۵nm، با استفاده از شبيه سازي هيدروديناميک مورد بررسي قرار گرفته است. از آنجا که الماس داراي هدايت گرمايي بسيار بالايي در مقايسه با اکسيد سيليکون بوده، لذا با انتقال سريع گرما در زيرپايه هاي سيليکون روي الماس، دماي شبکه نسبت به زيرپايه هاي سيليکون روي عايق بسيار افت کرده، به طوري که امکان استفاده از اين زيرپايه ها را در شرايط دمايي يکسان و توان بالاتر فراهم مي کند. از طرفي در مدارات مجتمع بر پايه تکنولوژي سيليکون روي الماس، هدايت يکنواخت و سريع گرما توسط لايه الماس موجب همدما شدن ترانزيستورهاي کناري با دماي ترانزيستور فعال مي گردد. در اين مقاله براي اولين بار اثر عايق مدفون الماس در انتقال گرماي توليد شده به ترانزيستورهاي کناري مورد بررسي قرار مي گيرد. نتايج شبيه سازي بيانگر افزايش جريان خاموشي (Ioff) ترانزيستورهاي کناري تا ميزان ۸ برابر مي باشد. اين وابستگي دمايي، باعث افزايش جريان خاموشي ترانزيستورهاي کناري و ايجاد مساله عدم انطباق در مدارات مجتمع مي گردد.