مقاله بهبود رساناي خروجي ترانزيستورهاي PD SOI MOSFET با طول کانال ۴۵ نانومتر با استفاده از شبيه سازي سه بعدي که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در بهار ۱۳۸۸ در مهندسي برق مجلسي از صفحه ۲۷ تا ۳۲ منتشر شده است.
نام: بهبود رساناي خروجي ترانزيستورهاي PD SOI MOSFET با طول کانال ۴۵ نانومتر با استفاده از شبيه سازي سه بعدي
این مقاله دارای ۶ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله ماسفت SOI
مقاله شبيه سازي سه بعدي
مقاله رسانايي خروجي
مقاله اتصال بدنه
مقاله مقاومت بدنه

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: دقيقي آرش
جناب آقای / سرکار خانم: فرج زاده آذر

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
اين مقاله براي اولين بار بهبود رسانايي خروجي ترانزيستورهاي Partially Depleted SOI MOSFET با مقياس ۴۵ نانومتر با استفاده از اتصال بدنه لوزي شکل را بيان مي کند. نتايج شبيه سازي سه بعدي براي ماسفت هاي اتصال بدنه به سورس با اتصال بدنه لوزي شکل و اتصال بدنه مرسوم بيان شده است. ترانزيستور داراي اتصال بدنه مرسوم شامل يک ناحيه مستطيل شکل داراي کاشت ناخالصي از نوع p+ در سورس ترانزيستور از نوع N مي باشد. در ترانزيستور با اتصال بدنه لوزي شکل، دو ناحيه با کاشت يوني p+ به شکل لوزي استفاده شده است. شبيه سازي ها نشان مي دهد که در ترانزيستور اتصال بدنه لوزي شکل، اثرات بدنه شناور خنثي شده است. علاوه براين، جريان درين (Ids) در ناحيه خطي کار ترانزيستور افزايش پيدا کرده است. به علاوه، شبيه سازي سه بعدي سيگنال کوچک-ترانزيستور، بيانگر کاهش رسانايي خروجي (gds) در ترانزيستورهاي با بدنه لوزي شکل به ميزان ۲۴% مي باشد. فرکانس گذار رسانايي خروجي مربوط به مقاومت بدنه در ترانزيستور با اتصال بدنه لوزي شکل به ۲٫۵ برابر مقدار آن در ترانزيستور با اتصال بدنه مرسوم افزايش پيدا کرده است. اين افزايش، امکان استفاده از ماسفت ها با اتصال بدنه لوزي شکل در فرکانس هاي بالاتر با بهره ذاتي بيشتر را فراهم مي نمايد.