مقاله حل عددي معادله ترابرد الكترون در نانوترانزيستورها در رژيم باليستيك براي حالت يك بعدي و دو بعدي که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در زمستان ۱۳۸۶ در مهندسي برق مجلسي از صفحه ۴۷ تا ۵۳ منتشر شده است.
نام: حل عددي معادله ترابرد الكترون در نانوترانزيستورها در رژيم باليستيك براي حالت يك بعدي و دو بعدي
این مقاله دارای ۷ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله نانوالكترونيك
مقاله نانوترانزيستور
مقاله نانوترانزيستورهاي باليستيك
مقاله نانوماسفت

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: ضيايي اشرف السادات
جناب آقای / سرکار خانم: كنجوري فرامرز
جناب آقای / سرکار خانم: اصلاني نژاد مرتضي

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
براي دست يابي به سرعت كار بالاتر و چگالي هاي بيش تر در بسته بندي، ساختارهاي ابزار FET به طور روزافزون كوچك شده اند. قطعاتي به كوچكي ۱۸ نيز مي توانند مشخصه هاي ترانزيستور قابل قبول را نمايش دهند، اما در چنين ابعادي طبيعت انتقال حامل در قطعه تغيير مي كند. در چنين ماسفت هايي كه اندازه قطعه از طول پراكندگي حامل كوچك تر است احتمال اينكه حامل ها كانال را از الكترود هاي سورس به درين بدون مواجهه با رخداد پراكندگي طي كنند بسيار زياد است. به چنين انتقالي به اصطلاح انتقال باليستيك گويند. در اين مقاله به بررسي ترابرد الکترون در نانوترانزيستورها پرداخته و با استفاده از رهيافت نيمه کلاسيک مبتني بر معادلات بولتزمن براي رژيم باليستيک جريانيک ساختار دو بعدي و همچنين براي يک سيم کوانتومي محاسبه مي گردد كه اين محاسبات مبتني بر مدل ارايه شده توسط ۱- رحمان، جي- گئو و س- داتا مي باشد.