مقاله رابطه جديد محاسبه مقاومت بدنه درترانزيستورهاي PD SOI MOSFET در مقياس نانومتر که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در تابستان ۱۳۸۸ در پژوهش در فناوري برق (الكترونيك و قدرت) از صفحه ۱۷ تا ۲۳ منتشر شده است.
نام: رابطه جديد محاسبه مقاومت بدنه درترانزيستورهاي PD SOI MOSFET در مقياس نانومتر
این مقاله دارای ۷ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله PSP SOI ،PD SOI
مقاله مقاومت بدنه
مقاله پتانسيل بدنه
مقاله نانومتر

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: دقيقي آرش
جناب آقای / سرکار خانم: عسكري خشويي اعظم

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
در اين مقاله يك مدل جديد غيرخطي براي بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزيستورهاي PD SOI در مقياس ۴۵ نانومتر ارايه مي گردد. اين مدل بر پايه شبيه سازي هاي سه بعدي سيگنال کوچک ارزيابي مي شود. در اين مقاله فاکتورهاي مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزيستورهاي نانومتر، با استفاده از قابليت شبيه سازي سه بعدي نرم افزار ISE-TCAD نشان داده مي شود و سپس با استفاده از مدل پتانسيل سطح، رابطه اي رياضي براي محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغييرهاي پتانسيل بدنه و عرض افزاره، بيان مي گردد. در نهايت نتايج شبيه سازي سه بعدي نرم افزاري و رابطه رياضي به دست آمده با آخرين نتايج بدست آمده مورد مقايسه قرار مي گيرد. مقايسه نتايج، بهبود رابطه رياضي ارايه شده را نشان مي دهد.