مقاله فناوري نوين اکسيدگيت با ضخامت نا متقارن براي کاهش جريان نشتي درين القا شده از گيت در افزاره سيليکان بر روي عايق در ابعاد نانو که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در تابستان ۱۳۸۸ در مهندسي برق مجلسي از صفحه ۱۹ تا ۲۴ منتشر شده است.
نام: فناوري نوين اکسيدگيت با ضخامت نا متقارن براي کاهش جريان نشتي درين القا شده از گيت در افزاره سيليکان بر روي عايق در ابعاد نانو
این مقاله دارای ۶ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله ترانزيستور SOI MOSFET
مقاله تونل زني باند به باند (BTBT)
مقاله جريان نشتي درين القا شده از گيت (GIDL)
مقاله حافظه هايي با دسترسي تصادفي پويا (DRAM)

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: مقدسي محمدناصر
جناب آقای / سرکار خانم: آهنگري زهرا

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
جريان درين القا شده از گيت (GIDL) در ترانزيستور اثر ميداني سيليکان بر روي عايق (SOI MOSFET) يکي از مولفه هاي اصلي جريان نشتي محسوب مي شود. جريان GIDL نقش مهمي را در زمان نگهداري اطلاعات در سلول هاي DRAM و توان مصرفي در سوئيچ هاي ترانزيستوري ايفا مي کند و به عنوان يکي از عوامل محدود کننده مقياس پذيري افزاره هاي SOI MOSFET مطرح مي شود. در اين مقاله تکنيک جديدي را براي کاهش جريان GIDL و به دنبال آن جريان حالت خاموش در افزاره SOI MOSFET در ابعاد نانو پيشنهاد مي کنيم. با بکارگيري اکسيد گيت با ضخامت نامتقارن مي توان جريان GIDL را بدون از دست دادن جريان حالت روشن و کنترل گيت بر کانال کاهش داد. کاهش جريان نشتي موجب کاهش توان مصرفي در سوئيچ هاي ترانزيستوري مي گردد. به علاوه نشان داده ايم که طول بهينه اي از کانال وجود دارد که به ازاي آن جريان حالت خاموش کمينه مي شود بدون آنکه جريان حالت روشن از دست برود.