سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

محمد الهی – گروه فیزیک – دانشکده علوم – دانشگاه رازی کرمانشاه
نادر قبادی – گروه فیزیک – دانشکده علوم – دانشگاه رازی کرمانشاه
رضا کاکاوندی – گروه فیزیک – دانشکده علوم – دانشگاه رازی کرمانشاه

چکیده:

در این مقاله لایه های نازک نانوساختار CdSe با روش رسوبگیری از حمام شیمیائی تشکیل شده اند . اثر دمای پخت ، مدت زمان پخت ومدت زمان رسوبگیری بر روی گاف انرژی نواری مطالعه شده است . وابستگی دمائی رسانش DC لایه های نانوساختار CdSe مورد مطالعه قرارگرفته است . اندازه نانوبلورهاازداده های طرح پراش تخمین زده شده است . نشان داده شده است که می توان با کنترل بارامترهای تهیه گاف انرژی را کنترل نمود