سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سیدنورالدین مرعشی – دانشکد ه فیزیک حالت جامد دانشگاه صنعتی شاهرود
مرتضی ایزدی فرد – دانشکد ه فیزیک حالت جامد دانشگاه صنعتی شاهرود
حسین عشقی – دانشکد ه فیزیک حالت جامد دانشگاه صنعتی شاهرود

چکیده:

در این مقاله به کمک نتایج حاصل از اندازه گیریهای فوتولو مینسانس (PL) و فوتولومینسانس تحریکی (PLE) در مناطق مر ئی و فروسرخ خواص اپتیکی آلیاژهـای GaInNPبا مقادیر رقیق نیتروژن بین صفر تا%۲ , مورد مطالعه قرار گرفتهاند . این نتایج نشان میدهند که حضور نیتروژن ضمن ایجاد کـاهش شـدید گـاف نـواری بدلیل اثر خمش نواری , کیفت اپتیکی ترکیبات نیمرسانای مورد مطالعه را بدلیل ایجاد مراکز غیر تابشی و تراز های عمیق انرژی در لایه های روآراستی کـاهش مـی -دهد . همچنین نتایج این مطالعه نشان میدهد که حضور Nدر آلیاژهایGaInP احتمالا سبب تغییر آرایـش نـواری در محـل مـرز مـشترک سـاختارهای نـاهمگون Ga0.46In0.54NxP1−x /GaAs مورد مطالعه از نوع اول (I)به نوع دوم (II) به ازای مقادیر نیتروژن(x) بزرگتر از%۰/۵خواهد شد