سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فرشید مفیدنخعی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
ماندانا رودباری – دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
علی پهلوان – دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
علی بهاری – گروه فیزیک دانشگاه مازندران، بابلسر

چکیده:

ضخامت اکسید سیلیکون در ترانزیستورهای CMOS فعلی حدود ۱ /۲ نانومتر است و عواملی باعث محدود شدن کارایی اکسید فوق نازک سیلیکون در تولیدات آتی CMOS می شود . اما تاکنون هیچ عایق دی الکتریک دیگری نتوانست در عمل جایگزین خوبی برای اکسید سیلیکون باشد . بنابراین همچنان نیاز به رشد اکسید سیلیکون فوق نازک حدود ۱ nm و نازکتر می باشد . لذا در اینجا به رشد اکسید سیلیکون درشرایط فوق خلاء پرداختیم وتوانستیم اکسید سیلیکون فوق نازکی بر زیر لایه ی سیلیکون رشد دهیم که یک رشد خود – محدودکننده ای را نشان داده است