سال انتشار: ۱۳۹۴
محل انتشار: هفتمین همایش علمی تخصصی انرژی های تجدید پذیر، پاک و کارآمد
تعداد صفحات: ۵
نویسنده(ها):
محمدرضا بهمیاری – دانشجوی ارشد دانشکده تحصیلات تکمیلی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
سیدعباس محمدی – دانشجوی ارشد دانشکده تحصیلات تکمیلی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
حامد آریان فرد – پژوهشگردانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه شیراز
حسین اسماعیلی – استادیاردانشکده تحصیلات تکمیلی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر

چکیده:
در این مقاله از روش تفاضل محدود در حوزه زمانFDTDبرای بررسی تاثیر ساختارهای زیرطول موجی در سلولهای خورشیدی گالیم آرسنایدGaAsاستفاده شده است. ساختارهای زیرطول موجی با توجه به توانایی کاهش دادن اتلاف های بازتابی در سلول های خورشیدی، جایگزین مناسبی برای پوشش های ضدبازتابی رایج هستند. در مقایسه باساختارهای فیلم نازک مسطح، ساختارهای زیرطول موجی باعث گیراندازی بهتر نور ورودی و کاهش بازتاب آن می شوند. ساختارهای زیرطول موجی باعث تغییر تدریجی ضریب شکست می شوند و به عنوان پوشش ضدبازتابی عمل می کنند.نتایج شبیه سازی اتلاف بازتابی ساختار زیرطول موجی با دوره تناوب 815 نانومتر و ارتفاع دندانه های مثلثی شکل 400 نانومتر در حدود 1% است که در مقایسه با لایه صاف 30 % کمتر است